下一代功率器件關(guān)鍵技術(shù):碳化硅
近年來,隨著5G、新能源等高頻、大功率射頻及電力電子需求的快速增長,硅基半導(dǎo)體器件的物理極限瓶頸逐漸凸顯,如何在提升功率的同時限制體積、發(fā)熱和成本的快速膨脹成為了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)重點關(guān)注的問題,以碳化硅為首的第三代半導(dǎo)體材料在這一趨勢下逐漸從科研走向產(chǎn)業(yè)化。與硅基半導(dǎo)體材料相比,以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、高抗輻射能力等特點,適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。具體優(yōu)勢體現(xiàn)在:(1)能量損耗低。碳化硅模塊的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗顯著低于同等IGBT模塊,且隨著開關(guān)頻率的提高,與IGBT模塊的損耗差越大,碳化硅模塊在降低損耗的同時可以實現(xiàn)高速開關(guān),有助于降低電池用量,提高續(xù)航里程,解決新能源汽車痛點;
(2)更 ……